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硅片制绒DI水电阻率要求


      硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构(制绒),且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。

      制绒是制造晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折 射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高电池的性能。经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片,其表面已吸附了各种杂质,如颗粒、金属粒 子、硅粉粉尘及有机杂质,在进行扩散前需要进行清洗,消除各类污染物,且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。

      硅片在平移、提升运动中需要整 体考虑机械臂运行稳定性,同时在平稳运行的前提下尽可能的减少硅片暴露在空气中的时间。为了防止平移/提升过程中由于水分挥 发在硅片表面产成水纹印,在制绒段的机械手臂上安装了可根据工艺要求设置的DI水喷淋装置,当料篮从溶液中提出后,喷淋装置启动,DI水以雾状方式喷射, 保证了硅片各个角度都可以喷淋到,尤其是硅片与料篮接触的部分,经过喷淋后可有效避免出现“边缘花片”的情况。那么硅片制绒工艺对于DI水电阻率具体要求通常是15兆欧以上。


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